海外サイトでBroadwellの解析が行われる 14nmプロセッサは計画通り?に製造できているようだ

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 chipworksでBroadwellプロセッサの構造の解析が行われた。以下はその翻訳である。専門的すぎるので誤訳部分が多々あるがどうか見逃してほしい。

” Broadwellプロセッサ「Core M」搭載のノートパソコンが日本から到着したので、直行でラボに持ち込んだ。数時間後、我々はダイの構造を確認したが、まさにそれは14nmの技術であった。

 下の写真はベベル、ポリッシュ加工されたダイのイメージを平面化、視認できるようにしたものである。この画像にある10基のゲートのピッチを測定したところ、ほぼ70nmであった。これはIntelが8月に発表したTransistor Gate Pitchと同じである。
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 ほかのベベル部分ではFinを見ることができ、20のピッチを数えたところ、これもIntelが発表した42nmとほとんど同じ結果となった。つまりBroadwellはIntelの計画通りに設計されている。
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 下の断面図を見てみると Intelは以来使ってきた65nmノードの厚い上部金属を用いているため、13層の金属と上部金属の下にあるMIMキャパシタ層を見るのは非常に難しい。ただ、上部金属、あるいはMIMキャパシタを持たない端部では12層あることが楽に確認できる。
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 IBMチップの12+αの金属層は見慣れているが(22nmのPower8では15層であった)、Intelは最近の世代まで9層を使用し続けてきた。今回のBaytrail SoCチップではそれが11に増えたのである。

 配線ピッチは54nmで、Intelが説明した52nmと異なったが、測定誤差か、サンプル誤差の範囲といえる。

 トランジスタやFINの詳細な電子顕微鏡画像は持っていないが、仮にFINが画像で示すように垂直な壁を持っていた場合、確かめることはできない。
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 14nmはFINを変更し、22nmをシュリンクしたもののように見える。ただ、ゲートメタライゼーションは以前同様タングステンゲートを用いているのでそこに関しては22nmと似ている。

 IntelとIBMは12月に(この解析で見つけることができなかった)”back-end dielectric stack”の中にエアギャップがあることを明らかにするだろう。
 
 キャッシュメモリに含まれるSRAMのセルサイズは0.058~μmであった。”

元の記事:chipworks

 この解析で重要なのは誤差がどうこうや、上部金属が~MIMキャパが~などの構造がどうこうでもなく、Intelが8月に説明したとおりのモノが出来上がっているということではないだろうか。chipworks曰く完全な解析はまだ済んでいなく、現在も解析が進められているようが、この結果を見る限りIntelの14nmプロセスは今のところ成功しているといえるだろう。 製造が当初と比べてずいぶん遅れていることを除けばの話だが。

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『海外サイトでBroadwellの解析が行われる 14nmプロセッサは計画通り?に製造できているようだ』へのコメント

  1. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/29(水) 20:42:00 ID:4182eb740 返信

    ホントここまで遅れると思わなかったわな

  2. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/29(水) 22:23:30 ID:822fe281a 返信

    分解したノーパソはLet’snote RZ4か…世界初(今時点で唯一)の実売されているCore M搭載製品だな。

  3. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/30(木) 01:55:22 ID:935521b54 返信

    これ遅れた理由はプロセスではないだろ。
    GFかTSMCの工作員がさもそれが事実かのように広めてるけど現実的ではない。Intelの発表した歩留まりでは非常に順調に開発が推移していたことが伺える。
    問題があったのはプロセスではなくてCoreMの設計の方だろ。事実としてCoreMの最初のステッピングは製品が登場する前にフェードアウト。松下のRZの開発者インタビューでもIntelが回路の制御に手を焼いていてプロセッサの技術情報がなかなか回ってこなかったので開発に苦労したとかかれている。

  4. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/30(木) 22:16:39 ID:d51551ecc 返信

    >>3に同意
    逆に今になってSemiAccurateでGF,TSMC両者のFinFETプロセスの歩留まりの悪さと隠蔽体質が指摘されてる。本当かどうか分からんけど。

  5. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/31(金) 00:50:12 ID:700145562 返信

    ≫4
    まあ隠ぺいしていてもおかしくはないかな。
    そもそも16nmという名称そのものが隠ぺいしてるに等しいし。
    これ実際のところは16ではなくて20nm
    20nmからの変更点はFinFETになったということ。ただそれだけ。
    それを16nmと呼称している。もうすでに詐欺みたいなもの。

  6. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/10/31(金) 08:14:19 ID:4b64b3f47 返信

    GF14nm/TSMC16nmでやっとIntelの22nm tri-gateと同じ世代だもんね。
    SemiAccurateの記事でも、名指しで「今回の歩留まりの話にIntelは関係ない(=Intelの14nmは大丈夫)」と言ってるから、最低1.5世代くらいは差がついてるのだろう。
    逆にIntelはプロセッサの設計をもうちょっと頑張って欲しいけれど。Atom然り、Xeon Phi然り。

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