東芝「3次元NAND型メモリは遠くない未来で技術の限界にぶつかる」

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1: 鰹節山車 ★@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:28:35.44 ID:???0.net
東芝の半導体トップ、「いったんは3次元へ逃げるが低コストの次世代リソは必須」

 東芝 執行役専務 セミコンダクター&ストレージ社 社長の成毛康雄氏は
「SEMICON Japan 2014」(2014年12月3日~5日、東京ビッグサイト)の「半導体エグゼクティブフォーラム」に登壇。
「東芝セミコンダクター&ストレージ社の事業戦略 ~Human Smart Communityの実現に向けて~」と題して講演した。

 成毛氏は、データセンターをはじめとするエンタープライズ分野が今後、NANDフラッシュメモリーの市場成長を牽引すると指摘。

NANDフラッシュメモリーを使ったストレージ(SSD)の低コスト化を進め、ハードディスク装置(HDD)の置き換えを加速する意思を示した(関連記事※1)。

 NANDフラッシュメモリーのコスト低減手段として、東芝は当面、微細化を優先するが「ある時期からは3次元へ移行する」。

具体的には2016年初頭から、メモリーセルを縦積みする3次元NANDフラッシュメモリーの量産を始める計画を明らかにしている(関連記事※2)。

ただし成毛氏によれば、いったんは「3次元へ逃げるが、そう遠くない先に加工(技術)の限界にぶつかる」という。
3次元NANDフラッシュメモリーでは、メモリーセルの積層数を増やすことでビットコストを低減するが、
積層数を増やすほど成膜プロセスやエッチングプロセスのコストは高まる。
早晩、そのデメリットがメリットを相殺してしまうとの見立てだ。

 そこで、3次元化と組み合わせて使う微細化に必要となる、低コストの次世代リソグラフィー技術の必要性を訴えた。

その候補として挙げたのは、EUV(extreme ultraviolet)露光、ナノインプリントリソグラフィー(NIL)、
高分子の自己組織化(DSA:directed self-assembly)を利用したリソグラフィーの3つである。

以下ソース
※1「SSDのビット単価は2025年にニアラインHDDを下回る」、東芝が見解
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20140930/379540/

※2東芝の半導体事業トップ、「2020年までは3次元NAND、その後は3次元ReRAM」
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20140930/379541/

20050318matrixsymbianfig1
http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20050318/102807/?SS=imgview_scr&FD=1689227181

7: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:33:52.44 ID:U+F63yzm0.net
三次元から二次元に戻る技術が必要と言っているので、
これを応用すれば…
51: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 12:01:29.50 ID:TnWph7fZ0.net
>>7
二次元の嫁を三次元に呼び出せれば
9: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:35:09.15 ID:72dq3JlV0.net
書き換えの耐久性を増すことはできないの?
12: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:39:08.49 ID:6F+vxk4t0.net
次世代メモリ STT-MRAM はマダァ-?
14: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:40:00.68 ID:d8/wx5sd0.net
微細化の限界は結構前から言われてる。
最先端のIntelも10nmから先は技術革新がないと厳しいようだ。
24: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:43:45.59 ID:/7fGRbMV0.net
>>14
NANDフラッシュの微細化は技術の問題より寿命の問題じゃない?
細くする度寿命がマッハ
26: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:46:11.44 ID:d8/wx5sd0.net
>>24
確かに微細化されると寿命縮むよね
でもサムスンは寿命の縮むTLCに行ってるし。
この辺わからん
35: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:01:21.16 ID:/7fGRbMV0.net
>>26
行ったけど19nmだったしな
今は3DだからTLCでてもは20nmのより耐久性あるだろうし
53: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 12:45:57.30 ID:qEVLeC1O0.net
>>14
微細化の限界は、1ビット電子トランジスター
これは、開発されている。
困難なのは、量産化。
1品でいいなら、まだまだ微細化が可能。
マルチバーニングを繰り返せばいいのだから。
54: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 12:48:18.58 ID:d8/wx5sd0.net
>>53
無論、量産に耐えなきゃ話にならんわな。
18: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:41:28.90 ID:MvzABxdb0.net
納戸にしまうようになるん?
61: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 14:22:44.87 ID:3kv9+lsc0.net
>>18
何度も使えるメモリーだよ
19: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:41:29.70 ID:ZJiRi0M70.net
3次元は一時的なものなのか
半導体の世界はすごいな
21: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:41:52.40 ID:ogit70gu0.net
NANDE?
30: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:50:28.90 ID:MvzABxdb0.net
スピードが寿命より優先ならという選択肢しか
31: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:51:00.54 ID:gFgY92dS0.net
3次元で書き込み耐久性はどうなんだろう
35: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:01:21.16 ID:/7fGRbMV0.net
>>31
1PBは書き込めたって記事をどっかで読んだ
33: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 10:56:26.07 ID:Adi9phd60.net
↓2次元から帰ってこない人が一言
34: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:00:42.73 ID:MvzABxdb0.net
3次元の次世代リス目指すんじゃないのか
39: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:12:07.22 ID:2+MULdMm0.net
2次元から3次元と聞いて
40: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:13:05.62 ID:0l8VaIhx0.net
2次元へ逃げたほうが明らかに低コストだろ
45: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:29:39.40 ID:BZap5lzK0.net
こうなるとDVDもBDもHDDも、ぜ~んぶSSDに集約されそうだな
50: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 11:59:32.50 ID:RRVydqKU0.net
とりあえず、使ってないチップ裏面も回路焼けば2倍はいけるよね
60: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 14:20:54.02 ID:9tsMvqkr0.net
微細化も限界だろ。三次元も限界、微細化も限界、もう限界。
64: この発言@転載は許可 / どの発言@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 14:46:47.57 ID:W/A2oz4d0.net
正直、これ以上のNAND微細化は絶縁膜薄すぎて信頼性確保出来んだろ。
それこそ、見た目容量の倍以上に予備容量確保して、少しでもヤバイと判断したらどんどん不良ブロック入れ替えするしかない。

もうNANDに下手な投資するより、一定の収益確保することのみに集中して、
次世代メモリ開発に投資を回した方が良くないか?

55: 名無しさん@0新周年@\(^o^)/ 2014/12/06(土) 12:50:40.04 ID:+QophnKk0.net
おまえらはもう、3次元へ逃げるなんて事しないから進んでいるよな。

引用元: http://ai.2ch.sc/test/read.cgi/newsplus/1417829315/

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『東芝「3次元NAND型メモリは遠くない未来で技術の限界にぶつかる」』へのコメント

  1. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/12/06(土) 16:10:12 ID:c31a865a4 返信

    STT-MRAMは大容量化がなかなか進んでないし、将来性がさほどあるとも思えない
    将来的にはDRAMの置き換えじゃないのかなこいつは
    ReRAMとPRAMは現行NANDほどじゃないが、書き換え可能回数があって速度以外の大きな利点もない(その速度も現状さほど必要とされてない。必要なのはただひたすら容量あたりの単価。)
    Flash Memoryも液晶と一緒で次世代と呼ばれる世代を駆逐していくんじゃねーかな

  2. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/12/06(土) 22:35:44 ID:fe23f255b 返信

    凄い低い電力で導体になってくれる半導体とかできれば寿命もあるいはだけどなぁ。
    でもそうなると漏れも凄くシビアにコントロールしなくちゃだろうし。
    なにかこう、すぽーんといい技術革新が来るとイイネ

  3. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/12/07(日) 02:18:33 ID:aa317bc77 返信

    SamsungのSSD買ったけど
    最近のSSDめちゃ速い&10年保証あるしあとはSATAじゃなくM.2が流行って3TB辺りまで容量行けば
    もう進化しなくていいんじゃない?

  4. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/12/07(日) 13:10:48 ID:833ab53a8 返信

    低速病サムスン買うとかチャレンジャーだな。

  5. 名前:名無しの自作er 投稿日:2014/12/13(土) 01:47:36 ID:48b431d14 返信

    サムスンSSDとか、死んでるのに何時までも「健康です」表示するので有名だぞ。
    健康なのにデータがどんどん欠けていくwww

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