NANDフラッシュメモリが本格的に3D時代に突入する。米サンタクララで開催されているフラッシュメモリのカンファレンス「Flash Memory Summit 2015」で、3D NAND時代がNANDメーカー各社により宣言された。
カンファレンスでは、3D NAND技術で先行するSamsung Semiconductorと、技術面でSamsungと並んでいた東芝/Sandiskだけでなく、Intel/MicronとSK hynixも、3D NAND製品の計画を明らかにした。
東芝/SandiskとIntel/Micronはサンプル出荷を開始しており、SK hynixも年内の量産開始をアナウンスした。先行していたSamsungと東芝だけでなく、MicronやSK hynixがダッシュしたことで、来年(2016年)には、NANDを製造する4陣営全てが3D戦線に揃う見込みだ。
とは言え、各社とも、まだ従来の2DのプレーナNAND製品も併存させる。3D NANDへはオーバーラップしながら徐々に移行する見込みだ。チップ容量としては、128G-bitチップまでが2DプレーナNANDで、256G-bitから先が3D NANDという色分けになりそうだ。
もっとも、3D NANDの最初の世代は128G-bitで、プレーナNANDの256G-bit品も登場する可能性はあるが、大まかには128G-bitと256G-bitが、プレーナNANDと3D NANDの分岐点となる。
※Flash Memory SummitでTECHINSIGHTSが示した各社のNAND製品ロードマップ
NANDの容量増大は、2DプレーナNANDが行き詰まり始めたことで、チップ容量で64G-bit以降は鈍化していた。それまで、NANDには『ファンの法則(Hwang’s Law)』と呼ばれる容量増大則があり、1年で倍容量(実際には15カ月で2倍程度)になるとされていた。
3D NANDの登場で、NANDのファンの法則が復活するという声もある。少なくとも、256G-bitの4倍の1T-bitまでは、道筋が見えて来た。
■3D NANDによってNANDフラッシュの展望が変わった
エンドユーザーにとって3D NANDの意味は、SSDがより大容量かつ高速、低消費電力になることだ。3D NANDが本格化する今年(2015年)後半から来年には、256G-bitのNANDチップが先端容量となる。
256G-bitの3D NANDを使えば、SSDの容量は16TBにまで引き上げることができるとSamsungは説明する。SSDはHDDでも実現できない容量帯に突入する。近い将来には、大容量ドライブと言えばHDDではなくSSDを指すようになるかも知れない。
NANDの容量増加ペースが再び復活したことで、NANDフラッシュ自体の展望も大きく変わった。今回のFlash Memory Summitで多くのベンダーが引き合いに出していたのが44ZB(ゼタバイト:zettabyte)という数字。2020年のストレージ需要として予想れている数字だ。
ゼタはエクサのさらに1,000倍、10の21乗。44ZBとなると、4TBのHDD/SSDなら100億個以上が必要となる計算だ。NANDベンダーは、天文学的な数字に膨れ上がる膨大なストレージ需要の受け皿になろうと意気込んでいる。
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引用元：PC Watch http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20150813_716236.html
今まで黙っていたSK Hynixも、今年中に量産と言うアナウンスを出した
IMFT → 浮遊ゲート方式、32レイヤー、MLC/TLC、年末に掛けて量産予定
東芝/SanDisk → チャージトラップ方式、48レイヤー、TLC、年末に掛けて試験量産、16年に量産開始
SAMSUNG → チャージトラップ方式、48レイヤー、TLC(※但し3世代目)、今月中に量産開始
SK Hynix → チャージトラップ方式？、レイヤー数不明、今年中に量産開始
データセンターとか？
これなら少々壊れやすくてもええわ
半分も壊れるんかよwwwwwwwwww
RAIDでもコントローラが物故割れて全滅とかあるし
究極的にはやっぱ小まめなバックアップ
最近のは問題ない
寿命も通常使用なら10年は安心して使える
1台でそんな大容量じゃなくてもいいのに
MLC少ないなぁ…一般用途では過剰性能って判断されたか…