4大NANDメーカーの3D NAND製品の計画が出揃う 来年にもSSDの3D NAND時代幕開けへ

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1: @Sunset Shimmer ★ 2015/08/13(木) 19:59:57.71 ID:JB2ZVSbc*.net
■3D NAND時代がやってくる

 NANDフラッシュメモリが本格的に3D時代に突入する。米サンタクララで開催されているフラッシュメモリのカンファレンス「Flash Memory Summit 2015」で、3D NAND時代がNANDメーカー各社により宣言された。

 カンファレンスでは、3D NAND技術で先行するSamsung Semiconductorと、技術面でSamsungと並んでいた東芝/Sandiskだけでなく、Intel/MicronとSK hynixも、3D NAND製品の計画を明らかにした。
東芝/SandiskとIntel/Micronはサンプル出荷を開始しており、SK hynixも年内の量産開始をアナウンスした。先行していたSamsungと東芝だけでなく、MicronやSK hynixがダッシュしたことで、来年(2016年)には、NANDを製造する4陣営全てが3D戦線に揃う見込みだ。

 とは言え、各社とも、まだ従来の2DのプレーナNAND製品も併存させる。3D NANDへはオーバーラップしながら徐々に移行する見込みだ。チップ容量としては、128G-bitチップまでが2DプレーナNANDで、256G-bitから先が3D NANDという色分けになりそうだ。
もっとも、3D NANDの最初の世代は128G-bitで、プレーナNANDの256G-bit品も登場する可能性はあるが、大まかには128G-bitと256G-bitが、プレーナNANDと3D NANDの分岐点となる。

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※Flash Memory SummitでTECHINSIGHTSが示した各社のNAND製品ロードマップ

 NANDの容量増大は、2DプレーナNANDが行き詰まり始めたことで、チップ容量で64G-bit以降は鈍化していた。それまで、NANDには『ファンの法則(Hwang’s Law)』と呼ばれる容量増大則があり、1年で倍容量(実際には15カ月で2倍程度)になるとされていた。
3D NANDの登場で、NANDのファンの法則が復活するという声もある。少なくとも、256G-bitの4倍の1T-bitまでは、道筋が見えて来た。

■3D NANDによってNANDフラッシュの展望が変わった

 エンドユーザーにとって3D NANDの意味は、SSDがより大容量かつ高速、低消費電力になることだ。3D NANDが本格化する今年(2015年)後半から来年には、256G-bitのNANDチップが先端容量となる。
256G-bitの3D NANDを使えば、SSDの容量は16TBにまで引き上げることができるとSamsungは説明する。SSDはHDDでも実現できない容量帯に突入する。近い将来には、大容量ドライブと言えばHDDではなくSSDを指すようになるかも知れない。

 NANDの容量増加ペースが再び復活したことで、NANDフラッシュ自体の展望も大きく変わった。今回のFlash Memory Summitで多くのベンダーが引き合いに出していたのが44ZB(ゼタバイト:zettabyte)という数字。2020年のストレージ需要として予想れている数字だ。
ゼタはエクサのさらに1,000倍、10の21乗。44ZBとなると、4TBのHDD/SSDなら100億個以上が必要となる計算だ。NANDベンダーは、天文学的な数字に膨れ上がる膨大なストレージ需要の受け皿になろうと意気込んでいる。

(記事の続きや関連情報はリンク先で)
引用元:PC Watch http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20150813_716236.html

598: Socket774 2015/08/13(木) 16:24:41.80 ID:1YPkss9B.net
3D NANDは今年中に各社とも試験量産~量産になる模様
今まで黙っていたSK Hynixも、今年中に量産と言うアナウンスを出した

IMFT     → 浮遊ゲート方式、32レイヤー、MLC/TLC、年末に掛けて量産予定
東芝/SanDisk → チャージトラップ方式、48レイヤー、TLC、年末に掛けて試験量産、16年に量産開始
SAMSUNG   → チャージトラップ方式、48レイヤー、TLC(※但し3世代目)、今月中に量産開始
SK Hynix   → チャージトラップ方式?、レイヤー数不明、今年中に量産開始

引用元: http://anago.2ch.sc/test/read.cgi/jisaku/1437443295/

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2: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:00:56.62 ID:lKbfB1E20.net
NA、NANDってー
7: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:02:39.00 ID:F4fCZxaB0.net
システムドライブに使う以外需要あるの?
データセンターとか?
10: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:03:15.93 ID:qBjjvN6H0.net
SSDのブレイクスルーや!
16: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:07:25.33 ID:qgvNk0Mf0.net
でもお高いんでしょう?
25: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:11:29.68 ID:uWjTkbyI0.net
M.2みたいな規格が主流になるのかな
27: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:12:58.57 ID:RluL3f460.net
16TBもあったら、半分壊れても8TBだな
これなら少々壊れやすくてもええわ
98: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 21:09:41.98 ID:Sh5+c3o60.net
>>27
半分も壊れるんかよwwwwwwwwww
76: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:46:23.80 ID:WXAEewv30.net
>>27
RAIDでもコントローラが物故割れて全滅とかあるし
究極的にはやっぱ小まめなバックアップ
37: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:21:07.28 ID:k1rG42Jt0.net
商品化してから言えよ
39: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:21:32.50 ID:ktGxixgD0.net
前触れも無く突然死するなんて怖くて使えないわ
52: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:30:47.03 ID:slUI62d50.net
>>39
最近のは問題ない
寿命も通常使用なら10年は安心して使える
47: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:26:42.47 ID:c99mV3Gx0.net
どうせTLCってネタだろ
81: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 20:48:33.01 ID:6CcLAK2v0.net
容量の問題は解決されたから後は破損データが復旧出来ない点と値段が高い点だねssd
106: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 21:35:38.35 ID:NK/0maoI0.net
3Dとうたっているが実際TLCのインチキSSDだろ
97: 名無しさん@1周年 2015/08/13(木) 21:09:12.78 ID:8qWrbVCD0.net
バックアップも考えたら2台以上使うんだから
1台でそんな大容量じゃなくてもいいのに

引用元: http://ai.2ch.sc/test/read.cgi/newsplus/1439463597/

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『4大NANDメーカーの3D NAND製品の計画が出揃う 来年にもSSDの3D NAND時代幕開けへ』へのコメント

  1. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 11:53:14 ID:afea052cf 返信

    MLC少ないなぁ…一般用途では過剰性能って判断されたか…

  2. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 12:05:35 ID:88a50dbb3 返信

    耐久と価格面でここ数年IMFTとSAMSUNG2強だったけど
    今度はIMFTのMLCが良さ気なのかな?

  3. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 12:07:02 ID:d95cd2d0d 返信

    今の製造プロセスだとMLC、TLCの差はごく僅かだろ
    セルが小さすぎて溜め込める電子数が少ないのは同じ
    これからはセル数増やしてエラー訂正と補助領域を強化して
    故障率下げる方向へ行くだろ
    要はコントローラの制御技術が更に重要になる

  4. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 12:31:58 ID:3522f5f51 返信

    先行が高値で出して、後発がほどほど価格で出してきたころに
    先行がバコーンって値下げかな?

  5. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 12:44:04 ID:2229c0c5d 返信

    wiki読んでもNANDとか良くわからん・・・

  6. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 13:01:54 ID:f897edb14 返信

    ※5
    まず論理回路と論理演算のページから読んでみるといい
    NANDをどうやって実現しているかについてはCMOSやMOSFET、FETかTTL、バイポーラトランジスタのページを読めばおおよその概形はつかめるだろう

  7. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 13:22:23 ID:3d5c48f04 返信

    今の最先端プロセスで作るMLCよりは
    3D NANDのTLCの方が信頼性は高いらしい
    以下引用
    http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150813_716226.html
     QLC(4bit/セル)技術はかつて、プレーナ技術のNANDフラッシュメモリでも研究開発が進められていた。しかし微細化によって1個のメモリセルが蓄積する電荷(電子)の数量が著しく減少したため、QLCの実現は困難になっていた。
     ところが3D NAND技術では、プレーナ技術に比べると数多くの電荷を蓄積する。東芝は、15nmのプレーナ技術によるNANDフラッシュのMLC方式メモリセルが蓄積する電荷の量を「1」とすると、3D NAND技術のMLC方式メモリセルが蓄積する電荷の量は「6」だとする。3D NAND技術ではQLC方式でもメモリセルの電荷蓄積量は「1.5」で、プレーナ技術のメモリセルよりも多い。実現の可能性は、かなりありそうだ。

  8. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 13:50:51 ID:cd26aa01c 返信

    一般用途には全く関係無いな
    HDDと同等の価格なら話は別だが

  9. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 14:17:58 ID:8b3334d94 返信

    ※8
    その「一般用途」の概念が早ければ10年代後半から変わり始めるとはなぜ考えないのか

  10. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 14:35:58 ID:c2264a301 返信

    東芝がんばれー
    サムスンに負けるなー

  11. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 15:35:33 ID:981edb15b 返信

    未だにTLCを毛嫌いしてる人いてワロタ
    そのSSDは何年使って何TB書き込むつもりなのかよく考えてほしい。
    TLCに対しての技術が向上して安価で大容量なSSDが欲しいが。

  12. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 15:38:35 ID:0fcb7d507 返信

    基本情報の勉強だな。
    NANDとは何か

  13. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 16:06:11 ID:57d7f96ab 返信

    東芝はまた粉飾なんだろ

  14. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 18:07:12 ID:9d0e4b20b 返信

    世界4大納戸メーカー

  15. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 19:35:43 ID:f9175f597 返信

    現状うんこなTLCが多いのに毛嫌いするなと言われてもねぇ

  16. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 19:36:42 ID:279709260 返信

    Windows10のアプグレ用に250MBクラスのSSD買おうか悩んでいるが
    年末年始まで少し粘った方が良いみたいだな。

  17. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 20:05:33 ID:d95cd2d0d 返信

    ※13
    昔、基本情報の勉強していて
    半導体ディスクというのが出てきたな
    当時フラッシュメモリが出始めでSSDなんて無い時代で
    辞典調べてもないし困ったわ
    その分印象に残ってる

  18. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 20:32:07 ID:2243d0dce 返信

    ちょうど昨日、サムスンの850EVOの500GB買ったで
    速度は上々、耐久性は150TB書き込み保証を信じて闘う

  19. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 23:11:17 ID:6debee696 返信

    サムスンの保障はショップで確認できたトラブルが再発した際も
    「確認出来ませんでしたので工場出荷時点に戻しました」と言って
    返却するだけだから意味が無い
    最初のトラブルで、ショップの「他社に変更するか返金する」って対応を
    受けておけばよかったよ

  20. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 23:29:12 ID:cd26aa01c 返信

    米9
    何が言いたいんだ?w
    相手する価値無し

  21. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 23:31:18 ID:1ea6b5351 返信

    とりあえず1G1円になったらおこして

  22. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/14(金) 23:40:46 ID:ce288f73f 返信

    ※12
    TLCは書き換え寿命よりも電荷抜けが心配
    3D NANDではマシになるって話だけど少なくとも現行のTLCは良くない

  23. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/15(土) 06:54:20 ID:eac35f9a4 返信

    容量の問題がなくなるなら、容量2分割してSSD内ミラーリングできるようにすればいいよ。
    片方のセクターが読み込み不能になっても復旧できる。

  24. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/15(土) 11:43:11 ID:fa58e0eed 返信

    バックアップが不安なので、SSDと同程度の容量を持つHDDの開発もしてほしい
    突然死のあと復旧出来ない事が多いSSDの中身を安全にバックアップできなきゃ
    どれだけ容量が増えようと関係ないわ

  25. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/15(土) 12:28:46 ID:2702eefb6 返信

    TLCがネック
    いくら3Dだからって
    MLCじゃないと買わん
    マイクロン一択になる

  26. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/15(土) 16:35:43 ID:a8706c85b 返信

    ※26
    3D NANDはTLCが主流になるらしいけど
    http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/20150401_695653.html
     3次元化したメモリセルアレイの層数を少なくしつつ、容量を稼ぐという意味でも多値化技術は重要である。結果として、3D NAND技術ではTLC技術(3bit/セル技術)が主流になる。Samsungが2015年2月にTLC技術の128Gbit 3D NANDチップを国際学会ISSCCで発表し、Intel-Micron連合は同年3月の発表で始めからTLC技術のチップを製品化すると表明してきたのは、偶然ではない。

  27. 名前:名無しの自作er 投稿日:2015/08/17(月) 17:42:33 ID:bd0b0f19c 返信

    米10
    ナンド

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